金融界2024年12月21日音信，国度学问产权局信息披露，深圳市森国科科技股份有限公司苦求一项名为“一种超结MOSFET器件及制备算作”的专利中国 拳交，公开号CN119153531A，苦求日历为2024年11月。

专利撮要披露，美足交本发明触及MOSFET器件时候鸿沟，尤其触及一种超结MOSFET器件及制备算作，该器件包括：衬底、M层外延层、放手层、阱区、源极金属层、栅极和漏极金属层；M层外延层位于衬底之上；放手层位于M层外延层之上放手层内的掌握两个区域差异设有一个阱区；源极金属层和栅极均位于放手层之上，源极金属层位于阱区之上，栅极位于源极金属层之间，且栅极遮蔽阱区之间的绝交区域和阱区的部分区域，漏极金属层位于衬底之下；每层外延层设有浮空P+区，每层外延层的浮空P+区与一个阱区对应开荒，相邻两层外延层的浮空P+区为交错开荒。该器件提细腻无比结MOSFET器件的可靠性和清静性，使器件具有更好的雪崩耐量，更低的导通电阻。

本文源自：金融界中国 拳交